Modelo circuito equivalente de transistor bipolar

El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Estas ecuaciones están basadas en el modelo de transporte de un transistor de unión bipolar.

iC=IS(eVBEVT−eVBCVT)−ISβR(eVBCVT−1)

iB=ISβF(eVBEVT−1)+ISβR(eVBCVT−1)

iE=IS(eVBEVT−eVBCVT)+ISβF(eVBEVT−1)

Dónde:

• iC es la corriente de colector.
• iB es la corriente de base.
• iE es la corriente de emisor.
• βF es la ganancia activa en emisor común (de 20 a 500)
• βR es la ganancia inversa en emisor común (de 0 a 20)
• IS es la corriente de saturación inversa (en el orden de 10⁻¹⁵ a 10⁻¹² amperios)
• VT es el voltaje térmico kT/q (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente ≈ 300 K).
• VBE es la tensión base-emisor.
• VBC es la tensión base-colector.

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar#El_modelo_Ebers-Moll